特許
J-GLOBAL ID：200903091864879757
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198880
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064580
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 Al系金属等の金属配線上の層間絶縁膜に接続孔を開口する場合に、下地金属配線のスパッタ再付着によるアルミクラウンを防止する。【構成】 金属配線1上に反射防止膜2を形成しておき、金属配線1のパターニング時の本来の反射防止機能とともに、接続孔5開口時のエッチングストッパとして用いる。反射防止膜2の露出部分は、ダウンフロープラズマにより除去する。【効果】 ダウンフロープラズマのイオンエネルギは小さいので、露出した金属配線がスパッタされることはない。深さの異なる接続孔を同時に開口する場合に効果が大きい。ダウンフロープラズマで、レジストマスク4を同時にアッシングすることも可能である。
請求項（抜粋）：
反射防止膜を有する金属配線上の層間絶縁膜に、該金属配線に臨む接続孔を開口する工程を含む半導体装置の製造方法において、該接続孔の開口工程は、前記反射防止膜をエッチングストッパとして前記層間絶縁膜をエッチングする第1の工程と、ダウンフロープラズマにより、前記反射防止膜をエッチングする第2の工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/302 G
, H01L 21/302 N
, H01L 21/90 B
