特許

J-GLOBAL ID：200903083582312050

高周波集積回路素子及びこの装置とこれを用いた通信システム

発明者： 江柄 光一 ,  江口 正 ,  横田 あかね ,  小山 晃広 ,  蜂巣 高弘
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109347
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298444
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 キャップ内の弾性表面波素子などとキャップ外部とを電気的に接続する手段として、空間を形成したキャップ状ガラス基板とを陽極接合によって接着し、高周波集積回路を形成する方法を目的とする。【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも弾性表面波素子と電子回路が形成され、前記半導体基板上の前記該弾性表面波素子の主面に対向して内部に凹部の空間が形成されたキャップ状ガラス基板が少なくとも前記弾性表面波素子を覆うように、前記半導体基板表面と外キャップ状ガラス基板の凸部とで直接接合されている高周波集積回路素子において、半導体基板の前記キャップ状ガラスの凸部が接している領域周辺の少なくとも一部が前記キャップ状ガラスの凸部をはさんで前記キャップ状ガラス内側と外側にまたがって、前記半導体基板の深さ方向に向かって、不純物がドープされていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも弾性表面波素子と電子回路が形成され、前記半導体基板上の前記該弾性表面波素子の主面に対向して内部に凹部の空間が形成されたキャップ状ガラス基板が少なくとも前記弾性表面波素子を覆うように、前記半導体基板表面と該キャップ状ガラス基板の凸部とで直接接合されている高周波集積回路素子において、前記半導体基板の前記キャップ状ガラスの凸部が接している領域周辺の少なくとも一部が前記キャップ状ガラスの凸部をはさんで前記キャップ状ガラス内側と外側にまたがって、前記半導体基板の深さ方向に向かって、不純物がドープされていることを特徴とする高周波集積回路素子。

IPC (4件)：

H03H 9/25 ,  H01L 41/09 ,  H03H 9/72 ,  H04B 1/707

FI (4件)：

H03H 9/25 A ,  H03H 9/72 ,  H01L 41/08 C ,  H04J 13/00 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高周波集積回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-055686   出願人：新日本製鐵株式会社
• 音響電荷転送素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-338133   出願人：クラリオン株式会社