特許
J-GLOBAL ID:200903083601381620
エーテルの製法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
有賀 三幸 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-250688
公開番号(公開出願番号):特開2001-072635
出願日: 1999年09月03日
公開日(公表日): 2001年03月21日
要約:
【要約】【課題】 選択的に、簡便かつ安価に、しかも溶媒を用いることなくトリメチロールアルカンモノアルキルエーテルを製造する方法の提供。【解決手段】 トリメチロール誘導体(1)【化1】〔RはC1〜C3のアルキル基。R1及びR2はH又はC1〜C10の炭化水素基。R1とR2が連結して隣接する炭素原子と共に環を形成してもよい。〕に、Pd化合物及び第三級ホスフィン若しくはホスファイトの存在下、又はPd-第三級ホスフィン錯体若しくはPd-ホスファイト錯体の存在下、共役ジエンを反応させて、共役ジエンが2量化したアルカジエニル基を有するエーテル体を得る第一の工程の後、第8族元素含有触媒の存在下でアルカジエニル基の水素添加工程、及び酸触媒の存在下でアセタールの加水分解工程を行うトリメチロールアルカンモノアルキルエーテルの製法。
請求項(抜粋):
一般式(1)【化1】〔式中、Rは炭素数1〜3のアルキル基を示し、R1及びR2は同一又は異なって、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基を示す。ただし、R1とR2が連結して隣接する炭素原子とともに環を形成してもよい。〕で表されるトリメチロール誘導体に、パラジウム化合物及び第三級ホスフィン若しくはホスファイトの存在下、又はパラジウム-第三級ホスフィン錯体若しくはパラジウム-ホスファイト錯体の存在下、共役ジエンを反応させて、共役ジエンが2量化したアルカジエニル基を有するエーテル体を得る第一の工程の後、得られたエーテル体に対して、水素雰囲気中で第8族元素を含有する触媒の存在下にアルカジエニル基を水素添加する工程、及び酸触媒の存在下にアセタールを加水分解する工程を行うトリメチロールアルカンモノアルキルエーテルの製法。
IPC (5件):
C07C 41/28
, B01J 31/24
, C07C 41/26
, C07C 43/13
, C07B 61/00 300
FI (5件):
C07C 41/28
, B01J 31/24 X
, C07C 41/26
, C07C 43/13 D
, C07B 61/00 300
Fターム (34件):
4H006AA02
, 4H006AC11
, 4H006AC22
, 4H006AC43
, 4H006AC80
, 4H006BA02
, 4H006BA21
, 4H006BA23
, 4H006BA24
, 4H006BA25
, 4H006BA26
, 4H006BA29
, 4H006BA30
, 4H006BA32
, 4H006BA37
, 4H006BA48
, 4H006BA53
, 4H006BA55
, 4H006BA66
, 4H006BA69
, 4H006BA70
, 4H006BA71
, 4H006BC10
, 4H006BC11
, 4H006BC34
, 4H006BE20
, 4H006BN10
, 4H006BR10
, 4H006FE11
, 4H006GP01
, 4H039CA61
, 4H039CB10
, 4H039CG90
, 4H039CL11
引用特許: