特許

J-GLOBAL ID：200903083697791300

ウェーハ製造方法

発明者： シボート モーリス ,  イアン カイレフルク ,  フランク フルネ
出願人/特許権者： エス オー アイ テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ
代理人 (3件)： 山田 行一 ,  鈴木 康仁 ,  二宮 克之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150897
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005699
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】合成物の不定的な破壊のリスクが軽減された状態で、不均質材料合成物を分割する容易かつ効率的な方法を提供する。【解決手段】不均質材料合成物9が、その所定の分割領域で分割されるウェーハ製造方法に関し、該合成物9は熱処理にかけられるものであり、合成物9が分割される前に止める合成物9のアニールと、所定の分割領域5で合成物を分割するための光子12の合成物9への照射とを含む。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

不均質材料合成物(9)が該合成物(9)の所定の分割領域(5)で分割されるウェーハ製造方法であり、前記合成物(9)が熱処理にかけられ、 前記熱処理が、 前記合成物(9)が分割される前に止める前記合成物(9)のアニール(140、141)と、 前記所定の分割領域(5)で前記合成物(9)を分割するための光子(12)の前記合成物(9)への照射(150、151、153、160、161、162、163、164)とを含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

FI (6件)：

H01L21/02 C ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/265 602C ,  H01L27/12 B ,  H01L21/76 D ,  H01L21/265 Q

Fターム (9件)：

5F032AA91 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032DA21 ,  5F032DA41 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体部材の製造方法および半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-310331   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜デバイスの剥離方法、薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-296216   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体板形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010980   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク