特許

J-GLOBAL ID：200903083701742859

光起電力素子

発明者： 堀江 哲弘 ,  森田 章二 ,  西宮 立享 ,  山口 賢剛
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 藤田 考晴 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342518
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142705
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 短絡電流密度の低下を最小限に抑えて、開放電圧を高くすることを可能とし、光電変換効率の高いシリコン系の光電変換素子を提供する。【解決手段】 第二微結晶シリコン膜6を光電変換層としたpin型の膜面入射微結晶シリコン系光起電力素子100において、i層がボロン(B)、ガリウム(Ga)又はインジウム(In)を不純物として含有し、このi層の不純物濃度を1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下とするように構成した。

請求項（抜粋）：

シリコン膜を光電変換層としたpin型又はnip型光起電力素子において、i層がボロン(B)、ガリウム(Ga)又はインジウム(In)を不純物として含有し、このi層の不純物濃度を1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下としたことを特徴とする光起電力素子。

Fターム (8件)：

5F051AA01 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA03 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 非晶質半導体及びこれを用いた半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-048648   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭63-244888
  
• 薄膜多結晶シリコン、それを用いた太陽電池及び薄膜多結晶シリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-138127   出願人：三菱重工業株式会社