非晶質半導体及びこれを用いた半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048648
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250754
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】欠陥密度の少ない非晶質半導体及びこれを用いた半導体デバイスを提供する。【構成】ノンドープの非晶質半導体に、所定の濃度の酸素とボロンを同時に含ませることにより、そのノンドープの非晶質半導体よりも欠陥密度が低減された非晶質半導体及びこれを用いた半導体デバイス。

請求項（抜粋）：

ノンドープの、周期律表第IV属の元素から成る非晶質半導体に、周期律表第III属の元素と周期律表第VI属の元素とを同時に含ませた非晶質半導体であり、そのノンドープの非晶質半導体よりも欠陥密度が低減したことを特徴とする非晶質半導体。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 31/04 B , H01L 21/205 , H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (7件)

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