特許

J-GLOBAL ID：200903083702561530

掛架した多孔質シリコンの微小構造の製造方法、及びガスセンサへの適用

発明者： ツァミス、クリストス ,  ツェレピ、アンジェリキ ,  ナシオプールー、アンドロウラ ジー.
出願人/特許権者： エヌシーエスアール“デモクリトス”-インスティテュート オブ マイクロエレクトロニクス ,  ツァミス、クリストス ,  ツェレピ、アンジェリキ ,  ナシオプールー、アンドロウラ ジー.
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-516946
公開番号（公開出願番号）：特表2005-502480
出願日： 2002年02月18日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

本発明は、橋又はカンチレバーの形状により掛架した多孔質シリコン薄膜、及びその薄膜を採用した熱センサ装置の製造のための前面シリコンマイクロマシニングの方法を提供する。掛架した多孔質シリコン薄膜の製造方法は、以下の工程からなる。(a)少なくとも一つの、シリコン基板(1)の所定領域に多孔質シリコンを形成する工程と、(b)標準的なフォトリソグラフィーを使用して、該多孔質シリコン層の周囲又は内部にエッチング開口窓(5)を画定する工程と、(c)ドライエッチング技術の使用により、多孔質シリコン層(2)の下のシリコン基板(1)に、選択的なエッチングをすることにより、多孔質シリコン薄膜の分離と、該多孔質シリコン層の下に空間(6)形成する。更に、提供した方法が、多孔質シリコンの低い熱伝導性から生じる利点と、掛架した薄膜の使用とを組み合わせるため、本発明は熱損失が最小限の多孔質シリコン薄膜に基づく、熱センサの製造方法を提供する。さらに、本発明で提供された前面のマイクロマシニングの方法は、製造の方法を容易にする。提供した方法を利用する、熱定量的型のガスセンサ、伝導性測定型のガスセンサ、及び熱伝導センサ等、様々な型の熱センサ装置が記載された。

請求項（抜粋）：

(a)シリコン基板の所定の領域の少なくとも一部に、多孔質シリコン層を製造する工程と、 (b)標準的なフォトリソグラフィーを使用することにより、前記多孔質シリコンの周囲又は内部にエッチング開口窓を画定する工程と、 (c)ドライエッチング技術の使用によって、前記多孔質シリコン層の下の前記シリコン基板を選択的にエッチングすることにより、前記多孔質シリコン薄膜の分離を提供すると共に、前記該多孔質シリコン層の下に空間を形成する工程とからなる、橋状又はカンチレバー状の形態の、掛架した多孔質シリコン薄膜を製造するための前面シリコンマイクロマシニング方法。

IPC (5件)：

B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01N27/16 ,  G01N27/18 ,  H01L37/00

FI (5件)：

B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01N27/16 B ,  G01N27/18 ,  H01L37/00

Fターム (17件)：

2G060AA02 ,  2G060AB01 ,  2G060AB15 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060AF09 ,  2G060AG10 ,  2G060BA03 ,  2G060BA05 ,  2G060BB02 ,  2G060BB03 ,  2G060BB05 ,  2G060BB09 ,  2G060BB16 ,  2G060BD02 ,  2G060DA04 ,  2G060JA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱式流速センサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-076592   出願人：株式会社村田製作所
• 熱センサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-321705   出願人：株式会社村田製作所