特許
J-GLOBAL ID：200903083703625710

半導体装置

発明者：
前田 茂伸

前田 茂伸 について

, 
山本 和也

山本 和也 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305262
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127247
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 電力損失が小さく、しかも大面積を必要としないキャパシタを得る。【解決手段】 ラインアンドスペース構造の配線に金属配線を採用し、隣接する金属配線同士の間に生じる容量を利用することで、寄生抵抗が小さく、かつ小面積のキャパシタを得る。x方向に延在し、AlやCu等の金属から成る配線3が、y方向に所定間隔で複数並んで、ラインアンドスペース構造4を構成している。ラインアンドスペース構造は、シリコン基板1上に形成されている。また、シリコン基板1上には、シリコン酸化膜等から成る絶縁膜2が形成されており、隣接する配線3同士は、絶縁膜2によって互いに電気的に分離されている。
請求項（抜粋）：
主面を有する下地層と、前記下地層の前記主面上に形成されたキャパシタとを備え、前記キャパシタは、前記主面の第1方向に延在する複数の金属配線が絶縁膜によって互いに電気的に分離されつつ、前記第1方向に垂直な前記主面の第2方向に所定間隔で並ぶラインアンドスペース構造を有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
Fターム (6件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AZ03 ,  5F038CA02 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭61-263251
  • コンデンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194033   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303639   出願人：川崎製鉄株式会社

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