特許
J-GLOBAL ID：200903083745615889
窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-158327
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300050
出願日： 2006年06月07日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法の提供。【解決手段】本発明は一種の転位密度の少ない窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法に関わるもので、おもに基板表面において、反応前駆物質Cp2MgおよびNH3による表面処理を行った後、窒化ガリウム系緩衝層を該基板に形成し、基板と緩衝層との間に境界層または境界区域構造を形成する。この構造は後工程において、窒化ガリウム系緩衝層の上に形成する窒化ガリウムエピタキシー層の転位密度を減少することにより、高品質なエピタキシー層を獲得し、転位密度の均一性を向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
手順a.基板を設け、
手順b.Cp2MgとNH3反応前駆物質を用いて、基板の表面処理を行い、
手順c.該基板の上に、低温窒化ガリウム系緩衝層を形成し、
手順d.該低温窒化ガリウム系緩衝層上に高温窒化ガリウム系緩衝層を形成する、以上の手順を含まれる、一種の窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層形成の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045DA67
, 5F045EB15
, 5F045EE12
, 5F045EE13
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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