特許

J-GLOBAL ID：200903031593308276

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者： 酒井 士郎
出願人/特許権者： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143826
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326384
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。【解決手段】 基板10上にSiNバッファ体を離散的に形成し、その上に低温でGaNバッファ層、高温でGaN半導体層16を形成する。SiNバッファ体を離散的に形成することで、低温バッファ層の基板に依存した結晶成長を阻害し、GaNバッファ層16成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。また、基板10上に離散的にSiO230を形成し、GaN半導体層16同士をSiO230上で会合させることでその歪みを緩和する。

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層を低温で成長させ、さらに前記バッファ層上にGaN系化合物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板上に離散的に結晶核発生阻害層を形成し、かつ、前記離散的に結晶核発生阻害層が形成された基板上に離散的にバッファ体を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20

Fターム (16件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F052AA11 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052GB02 ,  5F052GC06 ,  5F052HA08 ,  5F052JA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256088   出願人：株式会社東芝
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037577   出願人：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-370437   出願人：豊田合成株式会社