特許
J-GLOBAL ID：200903083748389545

半導体チップの実装方法

発明者：
中島 敏

中島 敏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320849
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162539
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップと回路基板との接合部分に対する加熱速度を高めることができる半導体チップの実装方法を提供すること。【解決手段】 回路基板20Aの裏面側202がヒータブロック30によって加熱されたとき、その熱は、内層配線パターン23などを介しても表層配線パターン26に伝わる。回路基板20Aには断面スルーホール281A、282Aが形成され、それに嵌まるピン状加熱部331、332がヒータブロック30に形成されている。断面スルーホール281A内の金属層291と、回路基板20A表面の配線電極221とは、表層配線パターン21を熱伝達用金属層パターンとして接続しているため、ピン状加熱部331の熱は、配線パターン21を介して、配線電極221とチップ電極11との接合部分に伝わる。
請求項（抜粋）：
回路基板に形成したスルーホール内の金属層と前記回路基板表面の半導体チップ実装領域内に形成した表面側金属層パターンとを熱伝達用金属層パターンを介して接続しておくとともに、前記回路基板の裏面側に対して表面が接触して前記回路基板と半導体チップとの接合部分を加熱する加熱体には、該加熱体表面から突出して前記スルーホール内に嵌まるピン状加熱部を構成しておき、前記半導体チップを前記回路基板に実装するための工程のうち、前記加熱体を用いて前記回路基板と前記半導体チップとの接合部分を加熱する加熱工程では、前記スルーホール内に嵌めた前記ピン状加熱部によっても前記金属層、前記熱伝達用金属層パターン、および前記表面側金属層パターンを介して前記回路基板と半導体チップとの接合部分を加熱することを特徴とする半導体チップの実装方法。
IPC (2件)：
H05K 3/34 507 ,  H01L 21/60 311
FI (2件)：
H05K 3/34 507 M ,  H01L 21/60 311 S
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM