特許

J-GLOBAL ID：200903083753899535

薄膜除去方法及びその装置

発明者： 佐田 徹也 ,  川崎 哲 ,  坂井 光広 ,  塚本 武
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256069
公開番号（公開出願番号）：特開平11-160891
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 基板の縁部の不要なレジスト膜を除去するにあたり、レジストに対する溶解能力の低い溶剤(安全性の高い溶剤)を用いても除去処理のスル-プットの低下を抑えること。【解決手段】 保持台2に基板Gを保持し、基板Gの縁部の表面側及び裏面側と夫々対向する上下ニードルノズル51、52を備えた溶剤吐出部3により、前記縁部に沿ってスキャンし、1回目のスキャン時(1パス目)には表面側及び裏面側に独立に所定量の溶剤を供給する。次いで2回目のスキャン時には、例えば表面側の溶剤の供給量は1パス目と同じとし、裏面側の溶剤の供給量を1回目の供給量より少なくするかあるいは溶剤の供給を停止する。

請求項（抜粋）：

薄膜が形成された基板の周縁部の不要な膜を溶剤により溶解して除去する方法において、(a)基板の表面側及び裏面側の夫々の周縁部に独立に溶剤を供給する工程と、(b)前記基板の表面側の周縁部に溶剤を供給すると共に前記基板の裏面側の周縁部に対しては前記工程(a)で裏面側に供給した流量よりも少ない流量で溶剤を供給するかまたは溶剤の供給を停止する工程と、を具備することを特徴とする薄膜除去方法。

IPC (3件)：

G03F 7/42 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/42 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/30 577

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板端縁洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357131   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板端縁洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-112033   出願人：大日本スクリーン製造株式会社