特許
J-GLOBAL ID：200903083783927045
半導体スイッチ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146519
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335901
出願日： 1997年06月04日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 広い帯域で使用できるとともに低挿入損失でありかつ高アイソレーションである特性を得る。【解決手段】 端子1,2を接続する信号伝達経路中に、系の特性インピーダンスよりも高い特性インピーダンスを有し、かつ、上記端子に入力される信号または上記端子から出力される信号の波長の1/4より短い長さの伝送線路3を挿入する。そして、端子1と基準電位との間にFET4を挿入し、端子2と基準電位との間にFET4aを挿入する。
請求項（抜粋）：
第1および第2の端子を接続する信号伝達経路中に挿入され、系の特性インピーダンスよりも高い特性インピーダンスを有し、かつ、前記端子に入力される信号または前記端子から出力される信号の波長の1/4より短い長さの伝送線路と、第1の端子と基準電位との間に挿入され、インピーダンスを可変することによってスイッチング動作を実施し、半導体素子によって形成された第1のスイッチ手段と、第2の端子と基準電位との間に挿入され、インピーダンスを可変することによってスイッチング動作を実施し、半導体素子によって形成された第2のスイッチ手段とを備えたことを特徴とする半導体スイッチ。
引用特許：
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