特許
J-GLOBAL ID：200903083795753077

レーザー光の照射装置およびレーザー光の照射方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-335042
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172050
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 レーザー光の照射による半導体膜のアニール方法において、よりアニール効果の高い方法を提供する。【構成】 ガラス基板110上に成膜された非晶質珪素膜102に対して線状にレーザー光100を109の方向に相対的に走査させながら照射する。この際、105、106で示されるヒーターによって、レーザー光が照射される直前の領域と直後の領域とを加熱する。このような構成とすることにより、レーザー光の照射に従う急激な相変化が生ぜず、非晶質珪素膜102をより結晶性の高い状態とすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体膜に対してレーザー光を照射する手段と、前記レーザー光を相対的に走査して前記半導体膜に対して照射する手段と、前記半導体膜の前記レーザー光が照射される直前の領域と前記レーザー光が照射される直後の領域とを選択的に加熱する手段と、を有することを特徴とするレーザー光の照射装置。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01S 3/00
引用特許：
審査官引用 (18件)
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