特許
J-GLOBAL ID：200903059827820954

多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置

発明者：
寺田 典裕

寺田 典裕 について

, 
原田 康樹

原田 康樹 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066010
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051077
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体薄膜にレーザ光を照射して多結晶半導体を製造するにあたり、半導体薄膜に対する脱水素化処理が簡単に行えると共に、結晶状態が均一で、キャリアの移動度等の特性にも優れた膜荒れのない多結晶半導体が短時間で簡単に製造できるようにする。【構成】 半導体薄膜2にレーザ光を照射し、半導体薄膜を結晶化させて多結晶半導体を製造するにあたり、レーザ照射手段10からのレーザ光の照射に先立って、レーザ光の照射領域における半導体薄膜を前加熱手段20により加熱して脱水素化処理し、また必要に応じて、上記のようにレーザ光が照射された領域における半導体薄膜を後加熱手段30によって後加熱させるようにした。
請求項（抜粋）：
レーザ光を半導体薄膜に照射させて、半導体薄膜を結晶化させる多結晶半導体の製造方法において、上記レーザ光の照射に先立って、レーザ光の照射領域における半導体薄膜を加熱する前加熱手段を設けたことを特徴とする多結晶半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 特開平4-124813
  • 特開平4-124813
  • 薄膜多結晶シリコンの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-231780   出願人：三洋電機株式会社
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