露光方法及び露光マスク

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307774
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149971
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】レジスト膜の解像度を確保しかつ工程数を増加させることなく、部分的に膜厚が異なるレジスト膜の寸法精度を確保することができない。【解決手段】レジスト膜11に対してパターン露光を行う場合、必要最低露光量に対する露光量の割合が露光面の全面で等しくなるように、膜厚t1 の第1露光部11aと膜厚t2 の第2露光部11bとに対して異なる露光量E1 ,E2 で露光を行う。この際、用いる露光マスク2は、遮光パターン22の開口部22aのうち、他の部分よりも必要最低露光量が小さい第1露光部11aに照射される露光光を透過させる部分に対応して光透過率調整パターン23を設けたものである。この光透過率調整パターン23は、第1露光部11aおける必要最低露光量に対してこの部分に照射される露光量の割合が第2露光部11bにおける割合と等しくなるように、当初の露光量を減らすような膜厚Tを有している。

請求項（抜粋）：

基板上のレジスト膜にパターン露光を行う方法であって、前記レジスト膜の膜厚または前記レジスト膜及びこの下層の絶縁膜の膜厚によって決まる必要最低露光量に対する露光量の割合が露光面の全面で略等しくなるように、前記膜厚が異なる部分毎に異なる露光量で露光を行うこと、を特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 502 G , G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭53-136969
特開平2-207252
特開平1-243525

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