特許

J-GLOBAL ID：200903083852113039

半導体装置及びその製造方法

発明者： 白竹 茂 ,  源城 英毅 ,  井戸 康弘 ,  蜂須賀 敦司 ,  谷口 浩二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294105
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135631
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 特別な製造工程を追加せずに比較的小エネルギーで切断でき、腐食防止可能なヒューズを備え、そのため高い信頼性を有する半導体装置を得る。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は半導体基板5上に形成されたレーザ光4により切断可能な金属からなる複数のヒューズ部材1a、1bを備え、ヒューズ部材1a、1bの長さLが、レーザ光4のスポット径Dから当該レーザ光4の位置合わせ誤差αを差し引いた値(D-α)よりも狭く形成されており、かつ上記複数のヒューズ部材1a、1bのそれぞれは、互いにレーザ光4のスポット径Dの半分に当該レーザ光4の位置合わせ誤差αを加えた値(D/2+α)よりも広い間隔lを開けて設けられていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたレーザ光により切断可能な金属のヒューズ部材を備え、上記ヒューズ部材の長さが上記レーザ光のスポット径から当該レーザ光の位置合わせ誤差を差し引いた値よりも短いことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019144   出願人：富士通株式会社
• 特開昭61-268042
  
• 半導体装置およびヒューズの切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-021898   出願人：株式会社東芝