特許

J-GLOBAL ID：200903083882420513

電力変換装置及び電力変換用半導体スイッチング素子

発明者： 松 本 寿 彰 ,  中 島 喜 平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257901
公開番号（公開出願番号）：特開2003-070231
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 電力変換装置を構成する電力変換用半導体スイッチング素子のうち、どの半導体スイッチング素子が異常兆候を示したかを検出することのできる電力変換装置を提供する。【解決手段】 電力変換用半導体スイッチング素子(1)を電力変換の主回路要素とする電力変換装置において、電力変換用半導体スイッチング素子(1)のゲート漏れ電流を検出する漏れ電流検出手段(9)と、装置の使用開始時の漏れ電流を基準にして、その大きさが一定値以上変化したとき、異常の兆候を示す素子異常検出信号を出力する素子異常検出手段(52,53)とを備える。

請求項（抜粋）：

ゲートターンオフサイリスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ等の電力変換用半導体スイッチング素子を電力変換の主回路要素とする電力変換装置において、前記電力変換用半導体スイッチング素子のゲート漏れ電流を検出する漏れ電流検出手段と、装置の使用開始時の漏れ電流を基準にして、その大きさが一定値以上変化したとき、異常の兆候を示す素子異常検出信号を出力する素子異常検出手段と、を備えたことを特徴とする電力変換装置。

IPC (2件)：

H02M 1/00 ,  H02M 7/48

FI (2件)：

H02M 1/00 H ,  H02M 7/48 M

Fターム (22件)：

5H007AA05 ,  5H007AA12 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H007DC02 ,  5H007FA03 ,  5H007FA09 ,  5H007FA13 ,  5H007FA19 ,  5H740AA10 ,  5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740JA28 ,  5H740KK01 ,  5H740MM11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電圧駆動型自己消弧素子用のゲート駆動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155585   出願人：株式会社日立製作所
• 電力制御装置のパワートランジスタ劣化判定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-140405   出願人：株式会社日立ビルシステムサービス