特許
J-GLOBAL ID：200903083905930077

ハイドライド気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法及びIII族窒化物半導体基板

発明者：
三田 一登

三田 一登 について


出願人/特許権者：
古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-225038
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042846
出願日： 2005年08月03日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】サセプタ上の基板に均一な成膜を行うハイドライド気相成長装置を提供する。【解決手段】反応管110の内部にて基板200の表面に反応ガス300を供給して成膜を行うハイドライド気相成長装置100であって、反応管110の内部に反応管110の延在方向に対して傾斜するよう配置され一面にて基板200を保持する円盤状のサセプタ120と、反応管110におけるサセプタ120の上流側に反応ガス300を導入するガス導入部と、サセプタ120の他面側に接続されサセプタ120を中心軸廻りに回転させる回転駆動機構140と、を備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応管の内部にて、基板の表面に反応ガスを供給して成膜を行うハイドライド気相成長装置であって、 前記反応管の内部に該反応管の延在方向に対して傾斜するよう配置され、一面にて前記基板を保持する円盤状のサセプタと、 前記反応管における前記サセプタの上流側に前記反応ガスを導入するガス導入部と、 前記サセプタの他面側に接続され、前記サセプタを中心軸廻りに回転させる回転駆動機構と、を備えたことを特徴とするハイドライド気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/01
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/01
Fターム (24件)：
4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA03 ,  4K030GA05 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045DP07 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EM02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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