特許
J-GLOBAL ID：200903083921930656

複合半導体装置の製造方法

発明者：
福田 永吾

福田 永吾 について


出願人/特許権者：
日本インター株式会社

日本インター株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161843
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349105
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】製作時間の短縮を図ると共に、煩雑で手間のかかる工程を省き製造原価の低減を図った複合半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体収納容器17を水平面内で回転させると共に、該容器17の内部に上方からケーシング剤16を滴下させ、絶縁ケース4と金属放熱板1との嵌合部に遠心力によりケーシング剤16を寄せ集め、加熱・硬化させて半導体収納容器17を形成する。
請求項（抜粋）：
金属放熱板の外周部に両端開口の絶縁ケースの一方の端部を嵌合させ、該嵌合部を接着させてなる半導体収納容器を有する複合半導体装置の製造方法において、上記半導体収納容器を水平面内で回転させると共に、上記半導体収納容器の内部に上方からケーシング剤を滴下させ、上記絶縁ケースと金属放熱板との嵌合部に遠心力により前記ケーシング剤を集め、加熱・硬化させて上記半導体収納容器を形成することを特徴とする複合半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (2件)：
H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 K
Fターム (10件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DB09 ,  4M109GA02 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA02 ,  5F061DE06 ,  5F061FA02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM