特許
J-GLOBAL ID：200903083927302940
活性ガス及びバッファガス制御を有するプラズマ集束光源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-502807
公開番号（公開出願番号）：特表2004-501491
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
高エネルギ光子源。真空チャンバ(10)内に1対のプラズマピンチ電極が配置される。チャンバ(10)は、バッファ希ガスと目標とするスペクトル線を形成するように選択された活性ガスとを含む作動ガスを包含する。パルス電源は、1000ヘルツ又はそれ以上の繰返し率と、作動ガス中に非常な高温かつ高密度のプラズマピンチを生成して材料ガスつまり活性ガスのスペクトル線での放射をもたらす電極間の放電を生起するのに十分な高電圧とで電気パルスを供給する。活性ガスとしてキセノンを用い、2πステラジアンの中に2000ヘルツの繰返し率で20ミリジュール及び13.5ナノメートルのパルスを生成する第4世代ユニットを説明する。このユニットは、充電コンデンサバンクを充電する共振充電器と、高電圧電気パルスを2000ヘルツ又はそれ以上で発生するパルス変成器を含む磁気圧縮回路とを有するパルスパワーシステムを含む。真空チャンバ内のガス流は、放電領域における活性ガスの目標とする濃度を保証し、ピンチ領域下流側のビーム経路における活性ガス濃度を最小にするように制御される。好ましい実施形態においては、活性ガスがピンチ領域の下流側にノズル(2)を通して注入され、アノードの中央にある排出ポート(3)を通して軸線方向に排出される。別の好ましい実施形態においては、レーザビームがピンチ領域の近傍であるがその下流側の位置に金属蒸気を発生し、その蒸気がアノードを通って軸線方向に排出される。
請求項（抜粋）：
ビーム経路及びビーム方向を形成する極紫外線光ビームを生成するための高エネルギ光子源であって、
A.真空チャンバ、
B.前記真空チャンバ内に同軸に搭載されて放電領域を形成し、放電時に高周波プラズマピンチをピンチサイトに作り出すように配置された少なくとも2つの電極、
C.少なくとも1つのスペクトル線で光を形成するように選択された活性ガスと、希ガスであるバッファガスとを含む作動ガス、
D.活性ガスを放電領域内で目標とする濃度に維持し、放電領域外のビーム経路内の活性ガスを最小にするために、バッファガス及び活性ガスを前記真空チャンバに供給し、ガスを真空チャンバから排出するガス制御システム、
E.電気パルスと前記少なくとも1対の電極間に放電を引き起こすだけの十分に高い電圧とを供給するパルス変成器を有する磁気圧縮回路、及び、充電コンデンサを含むパルスパワーシステム、
F.前記ピンチサイトからのEUVビームを収集し、それらを所定の経路に沿って誘導するように構成されたコレクタ・導波器ユニット、及び、
G.前記ピンチサイトから放射されて前記コレクタ・導波器に向かって誘導されるEUVビームと一線に並ぶ狭い通路を含み、前記ピンチサイトの近くに装着されたデブリコレクタ、
を含むことを特徴とする光子源。
IPC (9件)：
H05G2/00
, G03F7/20
, G21K1/00
, G21K1/06
, G21K5/00
, G21K5/02
, G21K5/08
, H01L21/027
, H05H1/24
H05G1/00 K
, G03F7/20 521
, G21K1/00 X
, G21K1/00 Z
, G21K1/06 M
, G21K5/00 Z
, G21K5/02 X
, G21K5/08 X
, H05H1/24
, H01L21/30 531S
, H01L21/30 527
4C092AA06
, 4C092AA14
, 4C092AB19
, 4C092AC09
, 4C092BD12
, 5F046BA10
, 5F046GC03
