特許

J-GLOBAL ID：200903083985380455

半導体装置の製造装置

発明者： 松下 卓生 ,  渡辺 豊 ,  石崎 武士
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-045045
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210138
出願日： 2005年02月22日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】膜剥がれやリーク電流の発生を抑制した、HSGの形成方法を提供する。【解決手段】ウェハ1表面にドープドポリシリコン膜2を堆積し、ウェハ1の裏面に堆積されたポリシリコン膜2を除去し、ウェハ1表面を洗浄する。ここで、ドープドポリシリコン膜2上に自然酸化膜3と飛散していた有機物4が膜上に堆積される。次に、ウェハ1両面にエキシマUV光を照射する。その後、IPA洗浄により自然酸化膜3の除去を行い、CVD法を用いてHSG5を堆積する。その結果、有機物4によるHSG5形成不良が低減されるため、歩留まりの低下を防ぐことが出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバの端部に、ガス導入機構とガス排出機構とウェハ搬入口とウェハ搬出口を有し、 前記ガス導入機構と前記ガス排出機構は前記チャンバの両端に対向するように配置されており、 前記チャンバ内に、ウェハ保持部と光照射機構とを有し、 前記光照射機構は、前記ウェハ保持部に対して上下から光を照射することを特徴とする、半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (2件)：

H01L21/304 645D ,  H01L27/10 621C

Fターム (7件)：

5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083GA27 ,  5F083JA33 ,  5F083PR00 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276983   出願人：株式会社日立製作所
• 紫外線照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346767   出願人：株式会社テクノ・プレックス