特許
J-GLOBAL ID：200903083994842321
電極の製造方法および転写フィルム
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110795
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307907
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 プリント回路基板、多層回路基板、マルチチップモジュール、LCDおよびLSI等の電極配線や突起電極を構成する電極の形成において、高精細パターンの形成が可能となり、また転写フィルムを使用することにより従来の方法に比べて実質的に作業性を向上させることができる電極の製造方法を提供する。【解決手段】 支持フィルム上に形成された導電性ペースト層21を基板11上に転写し、導電性ペースト層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む電極の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
支持フィルム上に形成された導電性ペースト層を基板上に転写し、基板上に転写された導電性ペースト層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により形成することを特徴とする電極の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/06
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H05K 3/00
H05K 3/06 A
, H01L 21/28 D
, H05K 3/00 R
, H01L 21/88 B
