特許

J-GLOBAL ID：200903084009730537

半導体装置とその製造方法

発明者： 八井田 収
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015022
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213453
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ワイヤボンディングの信頼性が向上しトランジスタの破壊耐量が向上した、半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板11上に形成された層間絶縁膜を選択的にエッチングし上記半導体基板を露出させるコンタクト孔を開孔する工程と、上記露出した上記半導体基板上にバリアメタル13を形成する工程と、上記バリアメタル13の表面にポリシリコン層14を形成する工程と、上記ポリシリコン層の平たん化を行う工程と、上記ポリシリコン層14に電気的に接続する配線3を行う工程と、を備えた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された層間絶縁膜を選択的にエッチングし上記半導体基板を露出させるコンタクト孔を開孔するコンタクト開孔工程と、上記コンタクト開孔工程の後、上記コンタクト孔にて露出した上記半導体基板上にバリアメタルを形成するバリアメタル形成工程と、上記バリアメタル形成工程の後、上記コンタクト孔を埋めるように上記バリアメタルの表面にポリシリコン層を形成するポリシリコン形成工程と、上記ポリシリコン形成工程の後、上記ポリシリコン層に電気的に接続する配線を行う配線工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272765   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭62-014422
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-189600   出願人：株式会社東芝