特許
J-GLOBAL ID：200903084059220459

光学的評価装置,光学的評価方法,半導体装置の製造装置,半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置の管理方法及び半導体装置

発明者：
江利口 浩二

江利口 浩二 について

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山田 隆順

山田 隆順 について

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奥山 雅則

奥山 雅則 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303808
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087448
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 インラインでの制御により、所望の特性を精度よくかつ均一にすることができる半導体装置の製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 ウエハ103上に、n型ソース領域108,n型ドレイン領域109,n型半導体領域101を設ける。ウエハ103上に堆積された層間絶縁膜104にプラズマを利用したドライエッチングを施して、各領域108,109,101にそれぞれ到達する開口110a〜110cを形成した後、ダメージ層を除去するためのライトエッチングを行う。その際、n型半導体領域101に励起光402を間欠的に照射し、励起光402の照射の有無によるプローブ光403の反射強度の変化割合を監視することで、ダメージ層の除去の進行や新たなダメージ層の発生度合いを検知し、小さくかつ均一なコンタクト抵抗を有する半導体装置を形成する。
請求項（抜粋）：
チャンバー内で半導体領域を有する基板に処理を施す際に使用される光学的評価装置であって、励起光を生成する第1の光源と、測定光を生成する第2の光源と、上記第1の光源で生成された励起光を、上記チャンバー内の半導体基板の半導体領域に間欠的に照射させるための第1の光案内部材と、上記第2の光源で生成された測定光を上記半導体領域に照射させるための第2の光案内部材と、上記半導体領域に照射された測定光の反射率を検出するための反射率検出手段と、上記半導体領域から反射された測定光を上記反射率検出手段に入射させるための第3の光案内部材と、上記反射率検出手段の出力を受け、上記半導体領域に励起光が照射されているときと励起光が照射されていないときとの測定光の反射率の差を上記励起光が照射されていないときの測定光の反射率で除した値を測定光の反射率の変化割合として演算する変化演算手段と、を備えている光学的評価装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/302 E
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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