半導体加速度センサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：碓氷裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322348
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176767
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】静電容量式加速度センサよりも小型化が可能なMISFET型加速度センサにおいて、可動電極を常に半導体基板に対して平行に保つことのできるMISFET型加速度センサを提供する。【構成】可動電極13は、格子状部材で構成されたマス131とそれを支えている4本の梁部132,ゲート電極133a,133bから構成されており、また梁部132は絶縁膜12を介してP型半導体基板10上に固定されている。従って可動電極13に上下左右の加速度が加わった場合においても、常に可動電極13とP型シリコン基板10を平行に保つことができる。これにより固定電極15a,16a(15b,16b)に流れる電流の変化を所望の値にでき、極めて正確な加速度検出を行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて支えられたゲート電極部と、前記半導体基板における前記ゲート電極部の両側に不純物拡散層を形成することで構成され、加速度による前記ゲート電極部との相対的位置の変化により前記不純物拡散層間に流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備えたMISFET型の半導体加速度センサにおいて、前記ゲート電極部と前記半導体基板の間に生じるねじれを防止するねじれ防止手段を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 , G01P 15/12

引用特許：

審査官引用 (13件)

シリコン加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-305814 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-094168
特開平1-163620

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