半導体装置および半導体装置の検査方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高田守 , 高橋英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-099380
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258420
出願日： 2007年04月05日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】この発明は、2ポート測定の回数を減らし、より短時間で検査を行うことができる半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、当該検査方法に好適な半導体装置を提供することである。【解決手段】SPnTスイッチ素子構造を備える半導体装置に対して、ストレートパス(P-Bパス)の接続ポートに高周波特性評価用プローブをプロービングする。この状態でストレートパスの高周波特性を測定する。その後、ストレートパスの接続ポートにプロービングした状態で、ストレートパスを軸として対称な1組のベンドパス(A-PパスとC-Pパス)について、それぞれ高周波特性を測定する。測定後、1組のベンドパスについて、高周波特性を比較する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

信号パッドと接地パッドを有する基準接続ポートと、前記基準接続ポートに接続する基準線路部と、該基準線路部に備えられる分岐部と、該分岐部から該基準線路部およびその延長線に対して対称に分岐する2以上の分岐線路部とを有する伝送線路と、前記2以上の分岐線路部のそれぞれに前記基準線路部およびその延長線に対して対称に設けられ、少なくとも信号パッドを有する接続ポートと、前記2以上の分岐線路部のそれぞれに設けられ、該分岐線路部の電気的な接続と遮断が可能な能動素子とを備える半導体装置の検査方法であって、前記2以上の分岐線路部のうち、少なくとも一つの分岐線路部を接続状態とし、かつ、他の少なくとも一つの分岐線路部を遮断状態として、前記基準接続ポートについての電気信号反射特性としての第1特性値を得る工程と、前記2以上の分岐線路部のうち接続状態の分岐線路部と遮断状態の分岐線路部との配置が前記第1特性値の取得時の状態から前記基準線路部およびその延長線に対して反対になるように該分岐線路部の接続と遮断を切り替えた状態で、前記基準接続ポートについての電気信号反射特性としての第2特性値を得る工程と、前記第1特性値と前記第2特性値との比較に基づいて、前記伝送線路の特性を検査する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (4件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , G01R 31/26 , H01P 1/15

FI (4件)：

H01L27/04 T , G01R31/26 B , H01P1/15 , H01L27/04 A

Fターム (22件)：

2G003AA02 , 2G003AB09 , 2G003AB10 , 2G003AE03 , 2G003AG03 , 2G003AG05 , 2G003AH04 , 2G003AH10 , 5F038AZ01 , 5F038BE01 , 5F038CA06 , 5F038CA10 , 5F038CD05 , 5F038CD16 , 5F038DF01 , 5F038DT04 , 5F038DT05 , 5F038DT10 , 5F038DT15 , 5F038DT16 , 5F038EZ20 , 5J012BA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-364293 出願人：三菱電機株式会社
高周波スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-214962 出願人：日本電気株式会社
高周波スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-355089 出願人：株式会社豊田中央研究所

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