半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343715
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173952
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法において、組立工程における作業効率の向上及び量産性の改善を図ることを目的とする。【解決手段】半導体基板11の表面に形成された複数の半導体素子形成部分10a,10bの互いの境界部分に規定されたスクライブ領域に分離用溝21を形成し、半導体基板11におけるスクライブ領域の一部領域を残してスクライブ領域に分割孔を形成し、該一部領域を基板接続部22として画定し、分離用溝21に沿って基板接続部22を切断することで各半導体素子形成部分10a,10bをチップ10として分離する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成された複数の半導体素子形成部分の互いの境界部分に規定されたスクライブ領域に分離用溝を形成する工程と、前記半導体基板における前記スクライブ領域の一部領域を残して前記スクライブ領域に分割孔を形成し、該一部領域を基板接続部として画定する工程と、前記分離用溝に沿って前記基板接続部を切断し、前記複数の半導体素子形成部分をそれぞれチップとして分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/78 Q , H01L 21/306 C

Fターム (4件)：

5F043AA03 , 5F043BB07 , 5F043FF01 , 5F043GG01

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置の製造方法およびかかる製造方法により製造された半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008851 出願人：富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社
特開昭48-040373
半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-178251 出願人：日本電気株式会社

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