特許

J-GLOBAL ID：200903084154160188

炭化ケイ素の製造方法

発明者： 井上 勝彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-021614
公開番号（公開出願番号）：特開2006-206391
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 低い温度で十分に原材料からの転換率が得られ、粒子サイズが小さく、不純物が少ない粉末状の炭化ケイ素の製造方法を提供する。【解決手段】 (A)Si元素および一種以上の遷移金属元素を含む合金、金属ケイ素粉末および遷移金属粉末を含む混合物、金属ケイ素粉末および遷移金属化合物を含む混合物のいずれかと、(B)鎖状飽和炭化水素、鎖状不飽和炭化水素、環状飽和炭化水素、アルコールおよび芳香族炭化水素からなる群から選択される一種類以上の置換または未置換の炭化水素とを、370〜800°Cの温度範囲にて反応させる工程を含む炭化ケイ素の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

粉末状の炭化ケイ素の製造方法において、少なくともSi元素および一種以上の遷移金属元素を含む合金と、鎖状飽和炭化水素、鎖状不飽和炭化水素、環状飽和炭化水素、アルコールおよび芳香族炭化水素からなる群から選択される一種類以上の置換または未置換の炭化水素とを、370〜800°Cの温度範囲にて反応させる工程を含むことを特徴とする炭化ケイ素の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/36 ,  C04B 35/626

FI (2件)：

C01B31/36 601B ,  C04B35/56 101P

Fターム (30件)：

4G001BA01 ,  4G001BA22 ,  4G001BA60 ,  4G001BA63 ,  4G001BA68 ,  4G001BB22 ,  4G001BC12 ,  4G001BC13 ,  4G001BC17 ,  4G001BC23 ,  4G001BC42 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BC56 ,  4G001BD02 ,  4G001BD12 ,  4G001BD13 ,  4G001BD37 ,  4G146MA15 ,  4G146MB18B ,  4G146NA02 ,  4G146NA11 ,  4G146NA12 ,  4G146NB03 ,  4G146NB18 ,  4G146NB19 ,  4G146PA06 ,  4G146PA07 ,  4G146PA15 ,  4G146QA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化ケイ素粉末の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-076736   出願人：王子製紙株式会社
• 炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-304901   出願人：株式会社ブリヂストン

審査官引用 (3件)

• ナノカーボン材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-016347   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭61-215210
  
• 特表平2-503908