ガスセンサ用薄膜、ガスセンサ用素子体およびガスセンサ用素子体の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大井正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-200971
公開番号（公開出願番号）：特開2007-071866
出願日： 2006年07月24日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】検知対象ガスに対する高い応答性が得られると共に、繰り返し用いることができるガスセンサ用薄膜、ガスセンサ用素子体、およびこれの製造方法の提供。【解決手段】ガスセンサ用薄膜は、VIII族金属の微粒子が三酸化タングステンよりなる薄膜状の基材中に分散されてなるものであって、薄膜状の基材を構成する三酸化タングステンの少なくとも一部が非晶質状態であることを特徴とする。このVIII族金属の微粒子の全部が薄膜状の基材の内部に埋没された状態とされていることが好ましい。また、薄膜状の基材を構成する三酸化タングステンが多孔質状態であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

VIII族金属の微粒子が三酸化タングステンよりなる薄膜状の基材中に分散されてなるガスセンサ用薄膜であって、前記薄膜状の基材を構成する三酸化タングステンの少なくとも一部が非晶質状態であることを特徴とするガスセンサ用薄膜。

IPC (3件)：

G01N 31/22 , G01N 21/77 , G01N 21/78

FI (5件)：

G01N31/22 121A , G01N21/77 A , G01N21/78 Z , G01N31/22 121P , G01N31/22 122

Fターム (23件)：

2G042AA01 , 2G042BB02 , 2G042BB06 , 2G042BB14 , 2G042BB17 , 2G042BB18 , 2G042BE10 , 2G042CB01 , 2G042DA03 , 2G042DA07 , 2G042DA08 , 2G042FA19 , 2G042FB05 , 2G042HA07 , 2G054CA04 , 2G054CA05 , 2G054CA10 , 2G054EA04 , 2G054FA21 , 2G054FA27 , 2G054GA03 , 2G054GB01 , 2G054GE03

引用特許：

出願人引用 (1件)

ガスセンサ用の膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-133239 出願人：岡崎慎司, 中川英元, 朝倉祝治, 富士電機株式会社

審査官引用 (12件)

ガスセンサ用の膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-133239 出願人：岡崎慎司, 中川英元, 朝倉祝治, 富士電機株式会社
特開昭60-211347
特開昭60-211347

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