特許
J-GLOBAL ID：200903084165023735

熱処理装置

発明者：
楠田 達文

楠田 達文 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-363417
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200204
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】熱処理時の基板の割れを防止することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハーWはサセプタ73によって水平姿勢に保持されている。サセプタ73の上方には27本のフラッシュランプFLが配列されている。27本のフラッシュランプFLを奇数番のランプ群と偶数番のランプ群とに2分割するとともに、奇数番のランプ群が発光してから1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下が経過した後に偶数番のランプ群が発光するように27本のフラッシュランプFLのそれぞれの発光タイミングを制御する。このようにすれば、最終的に必要な熱処理温度を得つつも熱処理時の半導体ウェハーWの割れを防止することができ、しかも瞬間的なノイズおよび音量をも低減することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、 基板を保持するサセプタと、 前記サセプタに保持された基板に向けて閃光を照射する複数のフラッシュランプと、 前記複数のフラッシュランプのそれぞれの発光タイミングを制御する発光制御手段と、 を備え、 前記複数のフラッシュランプを複数のランプ群に分割するとともに、前記発光制御手段は前記複数のランプ群が所定間隔にて順次に発光するように前記複数のフラッシュランプのそれぞれの発光タイミングを制御することを特徴とする熱処理装置。
IPC (1件)：
H01L21/26
FI (1件)：
H01L21/26 J
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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