基板を熱処理する装置及び方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-619972
公開番号（公開出願番号）：特表2003-500844
出願日： 2000年04月22日
公開日（公表日）： 2003年01月07日
要約：

【要約】基板、特に半導体ウェーハを均一にかつ費用的に有利に熱処理するために本発明によって提案された方法と装置では、少なくとも1つの基板を電磁放射よって加熱する少なくとも1つの加熱装置が用いられており、該加熱装置が少なくとも2つのアークランプを有し、各アークランプの放射特性が個別に制御可能であり、前記アークランプの電磁放射が前記加熱装置の電磁放射の出力密度に著しく寄与している。

請求項（抜粋）：

基板、特に半導体ウェーハを熱処理する装置(1)であって、少なくとも1つの基板(2)を電磁放射で加熱する少なくとも1つの加熱装置(12;14)を有し、該加熱装置(12;14)が少なくとも2つのアークランプ(15)を有している形式のものにおいて、各アークランプ(15)の放射特性が制御装置によって個別に制御可能であり、アークランプ(15)の電磁放射が前記加熱装置の電磁放射のパワー密度に寄与することを特徴とする、基板を熱処理するための装置。

IPC (2件)：

H01L 21/26 , H05B 7/22

FI (3件)：

H05B 7/22 , H01L 21/26 T , H01L 21/26 J

Fターム (3件)：

3K084AA12 , 3K084AA15 , 3K084AA16

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-047200 出願人：株式会社リコー
ランプアニール装置およびランプアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-155093 出願人：山形日本電気株式会社
高速ランプ加熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-191725 出願人：サイエンステクノロジー株式会社

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