半導体製造装置及びこれを利用した半導体基板の薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-144224
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183908
出願日： 2004年05月13日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】下面に膜を形成させず全体の半導体製造工程の生産性を大幅向上させる半導体製造装置及びこれを利用した半導体基板の薄膜形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板100に工程実施用密閉空間を提供する反応チューブ30と、反応チューブ30内に装着され、基板100をローディングでき、基板100の下面に半導体膜が蒸着されないようにする基板ホルダ25を支持する第1基板ローディング用ボート10と、該ボート10の内又は外側に隣接し、ボートに対し上下移動するよう構成され、基板の端部を支持する第2基板支持台を含む第2基板ローディング用ボート20とからなる基板ローディング用デュアルボートと、第1及び第2基板ローディング用ボートの下部を支持し、第1、第2基板ローディング用ボートの少なくとも一つ以上を昇降させて基板の支持状態を相対的に調節する間隔調節装置70と、工程ガスを供給するガス供給装置とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板に対し工程を進行できるように密閉空間を提供する反応チューブと、前記反応チューブ内の密閉空間内に装着され、少なくとも一つ以上の半導体基板をローディングでき、前記半導体基板のバックサイドに半導体膜が蒸着されないようにする基板ホルダを支持する第1基板ローディング用ボートと、前記第1基板ローディング用ボートの内側又は外側に隣接して前記第1基板ローディング用ボートに対して微細に上下移動するように構成され、前記半導体基板の端部を独立的に支持する第2基板支持台を含む第2基板ローディング用ボートとからなる基板ローディング用デュアルボートと、前記基板ローディング用デュアルボートの下部に設置され、前記第1基板ローディング用ボート及び前記第2基板ローディング用ボートの下部を各々独立的に支持しながら、前記第1基板ローディング用ボートと前記第2基板ローディング用ボートの少なくとも一つ以上を上下に昇降させて前記半導体基板の支持状態を相対的に調節する間隔調節装置と、前記反応チャンバ内に工程に必要な少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するガス供給装置とを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 , H01L21/68

FI (2件)：

H01L21/205 , H01L21/68 N

Fターム (24件)：

5F031CA02 , 5F031HA01 , 5F031HA08 , 5F031HA09 , 5F031HA64 , 5F031HA65 , 5F031MA28 , 5F031PA04 , 5F031PA23 , 5F031PA30 , 5F045AA03 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AF01 , 5F045BB20 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EM08

引用特許：

出願人引用 (1件)

被処理体の処理装置及び被処理体の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-274020 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (2件)

特許第6321680号
半導体製造装置におけるウェハ支持装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-034420 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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