被処理体の処理装置及び被処理体の処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274020
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106347
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】反応管内のパーティクルの発生を抑え、且つ、高品質の半導体装置を高歩留まり率で製造する。【解決手段】熱処理装置の排気系統のスロー排気用のバイパス管64に並列にサブバルブSSVを備えるサブバイパス管65を形成する。このサブバルブSSVを開いて、サブバイパス管65で排気しながら、ウエハボート14を反応管11にロード又はアンロードし、反応副生成物の昇華ガスやパーティクルの半導体基板15への吸着を防止する。

請求項（抜粋）：

複数の被処理体を収納し、処理を施すための反応管と、前記反応管内に、被処理体をロードし、処理済みの被処理体をアンロードするローディング機構と、前記反応管に接続され、該反応管内のガスを排出するための排気通路と、前記排気通路に接続され、前記反応管内のガスを排気するための排気手段と、前記排気通路中に配置され、この排気通路を開閉するメインバルブと、前記メインバルブを跨いで、排気通路同士を接続すると共に上記排気通路のガス流量よりも少ない流量で、前記反応管内のガスを排気するためのバイパス路と、前記バイパス路中に配置されて、該バイパス路を開閉するバイパスバルブと、前記メインバルブを跨いで排気通路同士を接続すると共に、被処理体のロード又はアンロードの動作中に、上記バイパス路のガス流量よりも少ない流量で前記反応管内のガスを排気するためのサブバイパス路と、前記サブバイパス路中に配置されて、該サブバイパス路を開閉するサブバルブと、を備え、前記サブバルブを開いて、前記反応管内のガスを前記排気手段により排気しながら、前記ローディング機構により、被処理体を反応管にロード又はアンロードする、ことを特徴とする被処理体の処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 14/56 , C23C 16/34 , C23C 16/44 , H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 14/56 F , C23C 16/34 , C23C 16/44 J , H01L 21/31 B

Fターム (24件)：

4K029BA58 , 4K029BD01 , 4K029DA02 , 4K029EA03 , 4K029KA09 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030EA11 , 4K030GA12 , 5F045AA06 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE19 , 5F045AF01 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045BB15 , 5F045DP19 , 5F045EB12 , 5F045EG01 , 5F045EG05

引用特許：

審査官引用 (6件)

減圧CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-182020 出願人：国際電気株式会社
半導体製造装置およびガス排出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051468 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
CVD装置の汚染防止方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-180968 出願人：国際電気株式会社

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