処理装置および処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083133
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254861
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】複雑な機構を用いることなく、均一な処理を行なうことが可能な処理装置および処理方法を提供する。【解決手段】処理装置1は、反応室3と、保持部材としてのサセプタ5と、加熱部材としてのヒータ6と、方向変更部材としての輻射体10とを備える。サセプタ5は、反応室3の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物としての基板を保持する。ヒータ6は、サセプタ5に保持された基板を加熱する。輻射体10は、ヒータ6により加熱された基板およびサセプタ5から出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応室と、前記反応室の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物を保持する保持部材と、前記保持部材に保持された処理対象物を加熱する加熱部材と、前記加熱部材により加熱された前記処理対象物および前記保持部材から出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する方向変更部材とを備える、処理装置。

IPC (4件)：

C23C 16/46 , C23C 16/455 , C23C 16/452 , H01L 21/205

FI (4件)：

C23C16/46 , C23C16/455 , C23C16/452 , H01L21/205

Fターム (22件)：

4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030JA07 , 4K030JA10 , 4K030KA05 , 4K030KA23 , 4K030KA25 , 4K030KA37 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045DP15 , 5F045EK07 , 5F045EK12

引用特許：

審査官引用 (5件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-074835 出願人：富士電機株式会社
気相成長装置および気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-141195 出願人：シャープ株式会社
高周波誘導加熱炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-078065 出願人：財団法人電力中央研究所

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