基板の熱処理装置およびそれを備える薄膜形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：五十嵐孝雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358719
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189465
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】ダミーウエハの補充を不要として、スループットの向上を図る。【解決手段】塗布処理部から送られてくる、石英ボートの基板収納枚数を示す枚数信号Nwを入力して(S300)、枚数信号Nwの値を検索キーとして、ハードディスクメモリ中のレシピ選択テーブルを検索する(S310)。レシピ選択テーブルは、基板収納枚数データと処理レシピデータとを含んでおり、基板収納枚数データに対して、それぞれ異なった処理レシピデータが格納されている。処理レシピデータは、ヒータの目標温度を経過時間に従って示すデータである。S310では、基板収納枚数に応じたヒータ目標温度を規定する処理レシピデータが選択されることになり、続いて、その選択した処理レシピデータをメモリに転送して、処理レシピの設定を完了する。

請求項（抜粋）：

複数枚の基板の熱処理を行なうための基板の熱処理装置であって、複数枚の基板を収容する基板収容ボートと、該基板収容ボートに収容された複数枚の基板に対し熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニットにおける熱処理条件を定める熱処理条件設定手段と、該熱処理条件設定手段により定められた熱処理条件に従って前記熱処理ユニットに基板の熱処理を実行させる熱処理実行手段とを備え、前記熱処理条件設定手段は、前記基板収容ボート内に収容された前記基板の枚数に応じて前記熱処理条件を変更する変更手段を備える基板の熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/22 501 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05B 3/00 310

FI (4件)：

H01L 21/22 501 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 A , H05B 3/00 310 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-096217
半導体製造装置の制御方法及びその制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-103665 出願人：国際電気株式会社
熱処理装置の温度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-249922 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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