特許
J-GLOBAL ID：200903084212052307
マイクロメカニズム式半導体装置及びその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529551
公開番号（公開出願番号）：特表2001-507288
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：
【要約】本発明は、空所(9)内部に形成された膜(7)を有するマイクロメカニズム式半導体装置に関する。膜(7)は、半導体装置の基板(1)内部又は基板(1)上に設置されたエピタキシャル連続層内部の1つの結晶層により形成されている。この膜(7)は周縁領域で支持層(6)にのっており、かつ対向層(5)上に支持されたカバー層(4)で覆われている。一方の支持層(6)及び対向層(5)と他方の膜(7)とは、所定の化学的ウェットエッチング剤に対して異なるエッチングレートを有する材料から調製されており、かつ異なるようにドーピングされた材料からなるのが有利である。
請求項（抜粋）：
マイクロメカニズム式半導体装置、殊に、マイクロ電子集積センサ装置の製法において、半導体装置の基板(1)の内部又は基板(1)上に設置されたエピタキシャル連続層内部で、1つの結晶層により膜(7)を空所(9)の内部に形成し、その際、膜(7)は周縁部で支持層(6)に載っており、かつ支持層(5)で支持されたカバー層(4)で覆われており、かつその際、一方の支持層(6)及び対向層(5)と、他方の膜(7)とを、所定の化学的ウェットエッチング剤に対して異なるエッチングレートを有する材料から調製する場合に、支持層(6)、膜層(7)及び対向層(5)を有する結晶単一層からなる連続層内に、支持層(6)、膜層(7)及び対向層(5)の交互の、又は変動するドーピングを伴うドーピングプロフィールを生じさせ、かつ支持層(6)及び対向層(5)を少なくとも部分的に、膜層(7)に対して選択的なエッチング剤で化学的ウェットエッチングすることを特徴とする、マイクロメカニズム式半導体装置、殊に、マイクロ電子集積センサ装置の製法。
IPC (3件)：
B81C 1/00
, G01P 15/125
, H01L 21/306
B81C 1/00
, G01P 15/125
, H01L 21/306 B
