特許
J-GLOBAL ID:200903084228811364
記憶装置およびそれに用いられるリフレッシュ制御回路ならびにリフレッシュ方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-062774
公開番号(公開出願番号):特開2004-273029
出願日: 2003年03月10日
公開日(公表日): 2004年09月30日
要約:
【課題】簡易な構成でありながら、使用されるメモリ領域の大きさがその都度変化する場合などでもリフレッシュ動作における十分に有効な低消費電力化を達成することのできる記憶装置およびそれに用いられるリフレッシュ制御回路ならびにリフレッシュ方法を提供する。【解決手段】リフレッシュ制御回路30は、メモリセルアレイ11のメモリ領域を複数のサブメモリ領域にあらかじめ区分しておき、それらのサブメモリ領域のうち情報のリフレッシュを行う際に使用状態にあって当該リフレッシュを必要とする情報が保持されているサブメモリ領域のみに対して情報のリフレッシュを行い、不使用状態にあってリフレッシュを必要としないサブメモリ領域についてはリフレッシュを行わない、という制御を実行する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
情報をメモリ領域に記憶し、前記メモリ領域に記憶された情報を増幅して前記メモリ領域に再度書き込むことによって、前記情報をリフレッシュして継続的に保持する、ダイナミック型の記憶装置であって、
前記メモリ領域を複数のサブメモリ領域にあらかじめ区分しておき、前記複数のサブメモリ領域のうち、前記情報のリフレッシュを行う際に使用状態にあって当該リフレッシュを必要とする情報が保持されているサブメモリ領域のみに、前記情報のリフレッシュを行う、リフレッシュ制御回路を備えたことを特徴とする記憶装置。
IPC (4件):
G11C11/406
, G06F12/00
, G06F12/06
, G11C11/403
FI (5件):
G11C11/34 363J
, G06F12/00 550B
, G06F12/06 515H
, G11C11/34 363K
, G11C11/34 363M
Fターム (16件):
5B060MM15
, 5M024AA04
, 5M024AA15
, 5M024BB22
, 5M024BB39
, 5M024DD62
, 5M024DD73
, 5M024EE05
, 5M024EE17
, 5M024EE29
, 5M024LL01
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP03
, 5M024PP07
, 5M024PP10
引用特許:
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