特許

J-GLOBAL ID：200903084240080642

磁電変換素子及びその製造方法

発明者： 吉永 春生
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152821
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340856
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 磁気特性を劣化させることなく、磁性体膜の膜厚を厚くして、低磁場での感度を向上させる磁電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11の表面13側に形成されたホール素子部15と、シリコン基板11の裏面17側のホール素子部15に対向する部分で且つホール素子部15の近傍までの部分に、裏面17からホール素子部15に向かうに従って小径となるテーパ状に形成されたエッチング溝19と、エッチング溝19の表面上に形成された第1の磁性体膜23とを備える。外部磁界は第1の磁性体膜23によりホール素子部15に集束される。第1の磁性体膜23が磁性体層31と非磁性体層33とが交互に複数回積層された多層膜からなるため、膜厚を厚くしても、非磁性体層33が膜の内部応力を緩和でき、これによって、磁気特性を劣化させなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子からなるウェハと、このウェハの表面側及び裏面側の一方の面側に形成され且つ外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力する磁電変換素子部と、前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状に形成された溝部と、この溝部の表面上に形成され且つ磁性体層と非磁性体層とが交互に複数回積層された多層膜からなるとともに前記外部磁界を前記磁電変換素子部に集束させる第1の磁性体膜と、を備えることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (5件)：

H01L 43/06 ,  G01D 5/14 ,  G01F 1/22 ,  G01P 3/488 ,  G01R 33/07

FI (5件)：

H01L 43/06 Z ,  G01D 5/14 H ,  G01F 1/22 ,  G01P 3/488 C ,  G01R 33/06 H

Fターム (9件)：

2F030CA01 ,  2F030CH01 ,  2F077JJ07 ,  2G017AA02 ,  2G017AC07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD53 ,  2G017AD61 ,  2G017AD65

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 磁電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-282884   出願人：株式会社日立製作所
• 磁界印加コア
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-040639   出願人：東芝メーターテクノ株式会社, 株式会社東芝
• 磁気抵抗効果ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-174418   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-111662