特許
J-GLOBAL ID：200903084250299677
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299839
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135626
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 配線形成の際にコンタクトホールを高いアスペクト比でエッチングして寸法制度良く形成し得る半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 この半導体装置の製造方法では、Si基板101の拡散層103上に絶縁膜105,106を形成し、絶縁膜106上でパターニングされたフォトレジスト107をマスクとして異方性ドライエッチングにより絶縁膜105より絶縁膜106の方がエッチングレートが早い条件でコンタクトホール108を開口する。フォトレジスト107を除去した後に基板全面に有機系塗布膜109を塗布し、この上に形成した第3の絶縁膜110上でパターニングされたフォトレジスト111をマスクとしてシリコン酸化膜110をエッチングした後、シリコン酸化膜110をマスクとして有機系塗布膜109をエッチングして配線溝112を形成するが、フォトレジスト111も同時にエッチングされる。
請求項（抜粋）：
配線を含む素子領域を有する半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に第1のフォトレジストを形成する工程と、露光法により前記第1のフォトレジストにコンタクトホール用パターンを形成する工程と、前記第1のフォトレジストをマスクとして前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を異方的にエッチングして前記素子領域の電気的導通を得るコンタクトホールを開口する工程と、前記第1のフォトレジストを除去した後に前記コンタクトホール内部を含む前記半導体基板上全面に有機系絶縁膜を形成する工程と、前記有機系絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第3の絶縁膜上に第2のフォトレジストを形成する工程と、露光法により前記第2のフォトレジストに配線溝用パターンを形成する工程と、前記第2のフォトレジストをマスクとして前記第3の絶縁膜をエッチングする工程と、前記第3の絶縁膜をマスクとして前記有機系絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記コンタクトホールの内部及び前記配線溝の内部を含む前記半導体基板全面に導体材料を形成する工程と、前記コンタクトホールの内部及び前記配線溝の内部以外の前記導体材料を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/90 S
, H01L 21/90 Q
