特許
J-GLOBAL ID：200903084254543769

金属パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置

発明者：
和泉 亮

和泉 亮 について

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石原 政道

石原 政道 について

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高田 春樹

高田 春樹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人九州工業大学

国立大学法人九州工業大学 について

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ハリマ化成株式会社

ハリマ化成株式会社 について


代理人 (1件)： 大川 譲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-083570
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244202
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】金属ペーストを用いた直描方式パターニング配線を形成するに際して、低温かつ短時間でひび割れなく金属ペーストを乾燥させ、導電性の高い金属配線を提供する。【解決手段】本発明は、有機溶媒中に金属粒子が含有されている金属ペーストを用いたパターニング配線を直描方式により形成し、該配線に対して、有機溶媒を昇華させる凍結乾燥処理を行い、そして、凍結乾燥処理配線を原子状水素により金属表面酸化膜の還元をする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
有機溶媒中に金属粒子が含有されている金属ペーストを用いたパターニング配線を直描方式により形成する工程と、 該配線に対して、有機溶媒を昇華させる凍結乾燥処理を行う工程と、 凍結乾燥処理配線を原子状水素により金属表面酸化膜の還元をする工程と、 から成る金属パターン配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/445 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L21/445 ,  H01L21/88 B ,  H01L23/12 501P
Fターム (15件)：
4M104BB04 ,  4M104DD51 ,  4M104DD77 ,  4M104DD89 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033MM30 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ94 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX10 ,  5F033XX17
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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