特許
J-GLOBAL ID：200903030913606371
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107290
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303502
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 従来のような絶縁膜の形成及び再成長技術を必要としない。【解決手段】 ドライエッチングにより、エッチングすると同時にP型窒化ガリウム系化合物半導体膜を改質して、非オーミック性又はエッチングに晒されない領域よりも高抵抗にする。
請求項（抜粋）：
導電性又は非導電性の基板上に、少なくともN型窒化ガリウム系化合物半導体層とP型窒化ガリウム系化合物半導体層とが順次積層された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記P型窒化ガリウム系化合物半導体層表面が電流注入領域と非電流注入領域とからなり、前記非電流注入領域が非オーミック性であるかまたは前記電流注入領域よりも高抵抗であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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