特許

J-GLOBAL ID：200903084323199692

薄膜の形成方法

発明者： 岩根 正晃 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072226
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326759
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 省資源、低コスト化に役立つSOI基板の製造方法を提供する。また、きれいに多孔質Si層で基板を分離でき、基板と治具との間の強力な接着が必要ない、省資源、低コストな太陽電池などの光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 非多孔質Si層2上に多孔質Si層3があり、前記多孔質Si層3上に多孔度の小さいSi層4がある基板の、前記非多孔質Si層2と多孔度の小さいSi層3を、前記多孔質Si層3で分離して形成するSi薄膜の形成方法において、前記基板の側面から、レーザ光13を照射することによって、前記分離をおこなう。そして分離した基板4,7,6からSOI基板を製造し、非多孔質Si層2は再びSOI基板の製造工程に利用する。

請求項（抜粋）：

非多孔質層上に多孔質層があり、前記多孔質層上に前記多孔質層より多孔度の小さい層がある基板の、前記非多孔質層と前記多孔度の小さい層を、前記多孔質層で分離する工程を含む薄膜の形成方法において、レーザ光を前記基板の側面から該基板の中心まで照射して前記分離をおこなうことを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 311 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/304 311 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045441   出願人：キヤノン株式会社
• 基体から素子形成層を分離する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037655   出願人：ソニー株式会社
• 半導体板形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010980   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 特開昭57-173118