特許
J-GLOBAL ID：200903084357051082
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-026443
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214514
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 配線に対して自己整合的に形成されていて信頼性の高い接続孔を有しており且つ集積度も高い半導体装置を製造する。【解決手段】 SiO2 膜14、17をSiO2 膜14の厚さ方向へ一部分ずつ研磨しておいて、BPSG膜22に接続孔24を形成する。研磨によってSiO2 膜17の断面形状が矩形に近づいて、SiO2 膜17の肩部における傾斜部が少なくなる。このため、SiO2 膜17の肩部のSiN膜21にも反応生成物が付着し易く、BPSG膜22のエッチング時にSiN膜21がエッチングされにくくて、ポリサイド層13が接続孔24内に露出しにくい。
請求項（抜粋）：
半導体基体上の第1の絶縁膜上に、複数の配線を有するパターンを導電膜とこの導電膜上の第2の絶縁膜とで形成する工程と、前記導電膜及び前記第2の絶縁膜の側面に第3の絶縁膜から成る側壁スペーサを形成する工程と、前記第2の絶縁膜の厚さ方向へこの第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜との一部分ずつを研磨する工程と、前記第2及び第3の絶縁膜並びに前記半導体基体を覆う第4の絶縁膜を前記研磨の後に形成する工程と、前記第4の絶縁膜とはエッチング特性が異なる第5の絶縁膜を前記第4の絶縁膜上に形成する工程と、前記第4の絶縁膜に対して選択的に前記第5の絶縁膜をエッチングして前記第3の絶縁膜同士の間の領域を含む接続孔を形成する工程と、前記接続孔内の前記第4の絶縁膜をエッチングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 L
