特許

J-GLOBAL ID：200903084365051288

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 谷口 徹 ,  大西 藤夫 ,  森田 悦郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100851
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299290
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 粗研磨時、ウェーハ保持孔内での擦れによるウェーハ外周部の損傷を、その後のPCR工程で除去する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 粗研磨工程と仕上げ研磨工程との間にPCR工程を配置した。この結果、仮に粗研磨中、シリコンウェーハの面取り面が、例えば両面研磨装置に配備されたキャリアプレートのウェーハ保持孔の形成部と接触し、シリコンウェーハの最外周部(面取り面)に擦れによる傷が発生しても、その後のPCR工程で、この最外周部の傷、ダメージを除去することができる。

請求項（抜粋）：

面取りされた半導体ウェーハを、ウェーハ保持板に形成されたウェーハ保持孔に挿入・保持して、この半導体ウェーハに粗い研磨を施す粗研磨工程と、粗研磨後、半導体ウェーハの外周部の面取り面を鏡面仕上げするPCR工程と、PCR加工後、半導体ウェーハの研磨面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 621 Z ,  H01L 21/304 621 E ,  B24B 37/04 Z

Fターム (4件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058DA06 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-079266   出願人：コマツ電子金属株式会社
• ウェーハの加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-239277   出願人：信越半導体株式会社
• 両面研磨ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186485   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社