特許
J-GLOBAL ID：200903043623899809
両面研磨ウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186485
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015459
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ製造工程数を低減するエッチングレス両面研磨ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの外周部をあらく1次面取りし、次いでウェーハ両面をあらく1次両面研削するか軽くラッピングする。次にウェーハ両面を仕上げ研削する。そしてウェーハをWHT熱処理後、両面研磨を施す。結果、熱処理時に生じたウェーハ両面の不純物汚染を、この両面研磨工程中に除去できる。よって従来法では必須だった、後工程の1次研磨工程を省ける。結果、ウェーハ製造工程数を低減できる。その後、PCR工程でウェーハ外周面を鏡面仕上げする。この際、WHT加工時にウェーハ外周面に生じた治具跡が除去される。そして、PCR加工時のウェーハの吸着・保持面を仕上げ研磨する。
請求項（抜粋）：
表裏両面が研削された半導体ウェーハに酸素ドナー消去のための熱処理を施す熱処理工程と、熱処理後、半導体ウェーハの表裏両面を研磨する工程とを備えた両面研磨ウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 621
, H01L 21/304
, H01L 21/304 611
H01L 21/304 621 A
, H01L 21/304 621 B
, H01L 21/304 621 E
, H01L 21/304 611 Z
