特許

J-GLOBAL ID：200903084374158737

ダイヤモンド膜の製造方法

発明者： 小畑 龍夫 ,  ジョセフ・ガゼ ,  小柳 直樹
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091562
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259389
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 膜状のダイヤモンドの析出を効率よく行い、かつ基材の特定の部位に任意の厚みとすることが可能なダイヤモンド膜を製造すること。【構成】 有機化合物と水素を含んだ原料ガスを細孔から噴出させ、このガスを熱フィラメントに接触させた後に基材に当接させ、同時に基材に赤外線レーザーを照射させることによりダイヤモンド膜を製造する。

請求項（抜粋）：

有機化合物と水素を含んだ原料ガスを細孔から噴出させ、該ガスをフィラメントに接触させた後に基材に当接させ、同時に基材に赤外線レーザーを照射させることにより基材上にダイヤモンドを折出させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  B01J 19/12 ,  C23C 16/26

FI (3件)：

C30B 29/04 G ,  B01J 19/12 G ,  C23C 16/26

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-039379
  
• Siエピタキシャル膜の選択成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-216945   出願人：日本電信電話株式会社
• 気相法ダイヤモンドの合成法及び合成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-208021   出願人：昭和電工株式会社
• 特開昭64-039379