特許

J-GLOBAL ID：200903084383452125

分布帰還型半導体レーザ素子

発明者： 喜瀬 智文 ,  高木 啓史 ,  舟橋 政樹 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181181
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031402
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】共振器長が500μm以上で、高い単一モード歩留まりを有し、且つ、高出力下でも狭いスペクトル線幅を有する分布帰還型半導体レーザを提供する。【解決手段】共振器長が500μm以上の分布帰還型半導体レーザ素子は、InGaAsP回折格子15が形成される領域の長さが共振器長の50%以上であある。InGaAsP回折格子15の後端部26の近傍では、後端部26に向かってデューティ比を連続的に小さくする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

共振器と平行に形成された回折格子を有し、光出射端となる一方の端面に低反射率膜が、他方の端面に高反射率膜が夫々形成された、共振器長が500μm以上の分布帰還型半導体レーザ素子であって、 前記回折格子が形成される領域の長さが、共振器長の50%以上であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S5/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01S5/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 105A

Fターム (30件)：

5F004BD03 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004DB22 ,  5F004EA07 ,  5F004EB08 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB18 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF11 ,  5F045AF20 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13 ,  5F073AA26 ,  5F073AA46 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA33 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296433   出願人：シャープ株式会社
• 利得結合分布帰還型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-298502   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭59-165481
  
• 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-019553   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭59-165481