特許
J-GLOBAL ID：200903076213561555

利得結合分布帰還型半導体レーザ

発明者：
舟橋 政樹

舟橋 政樹 について

, 
粕川 秋彦

粕川 秋彦 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-298502
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168456
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 単一縦モード発振特性に関し、製品歩留りの高い構成を有する利得結合DFBレーザを提供する。【解決手段】 本利得結合DFBレーザ20は、発振波長約1550nmのレーザであって、n-InP基板1上に、n-InPバッファ層2、活性層3と、p-InPスペーサ層4、p-InP上部クラッド層6、及びp-GaInAsコンタクト層7の積層構造を有する。スペーサ層内には、ピッチ約240nmで周期的に形成された膜厚20nmのInGaAs吸収層からなる吸収性回折格子13が設けてある。スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はp/n-InP層8/9で埋め込まれている。共振器長Lは400μm以上、利得結合係数の絶対値|κ<SB>g </SB>|と、回折格子長L<SB>g </SB>との積|κ<SB>g </SB>|L<SB>g </SB>が0.5≦|κ<SB>g </SB>|L<SB>g </SB>≦1.1で、デューティ比Dが0.2≦D<0.4である。
請求項（抜粋）：
利得又は損失が周期的に変化する回折格子部を備えた、利得結合分布帰還型半導体レーザにおいて、利得結合係数の絶対値|κg |と、回折格子部の回折格子長Lg との積|κg|Lg が、0.5≦|κg |Lg ≦1.1であることを特徴とする利得結合分布帰還型半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/12 ,  H01S 5/028
FI (2件)：
H01S 5/12 ,  H01S 5/028
Fターム (11件)：
5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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