特許
J-GLOBAL ID：200903032124120556
分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019553
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223967
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 DFBレーザ101において、光導波領域での実効屈折率の変化により共振器の持つ結合定数κを変化させて、SHB現象による光出力電流特性の線形性の劣化を制御性よく抑制する。【解決手段】 ガイド層51を構成する半導体結晶の組成を、共振器長方向における結合係数の変化により該共振器内での電界分布が均一化されるよう、該共振器長方向にて変化させた。
請求項（抜粋）：
活性層を上下のクラッド層により挟み込んでなり、該活性層にてレーザ光を発生させるための半導体積層構造と、該半導体積層構造の近傍に配置され、上記活性層を中心とする光導波領域にレーザ光が集中するよう、該レーザ光の横方向閉込めを行う光閉じ込め構造と、上記半導体積層構造の近傍に該活性層からのレーザ光を吸収するよう配置され、該活性層との間で光結合するガイド層と、該活性層とガイド層との光結合強度の、上記光導波領域での光導波方向における周期的な変化により、該光導波領域にてレーザ光の分布帰還を発生させる共振器構造とを備え、上記光結合強度に対応する結合定数を変化させる要素である該活性層の幅,該ガイド層の材料組成,及びガイド層と活性層との距離のうちの少なくとも1つの要素は、共振器長方向における変化を有することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
引用特許：
前のページに戻る
